- 品牌：
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- Microchip Technology (11)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (13)
- Littelfuse (6)
- Microsemi (3)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 31,379 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,792 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 58A... |
1 | 8,002 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 58A... |
1 | 424 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 58... |
1 | 405 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 540 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 246 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 163 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A... |
1 | 1,670 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 58A... |
1 | 99 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 58A... |
1 | 34 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 50... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 58... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 58A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 40V 58A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 58A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
