- 品牌：
-
- Intersil（瑞萨电子公司） (3)
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (36)
- STMicroelectronics (21)
- Littelfuse (10)
- Microsemi (4)
- ROHM Semiconductor (19)
- SemiQ (2)
- Transphorm (1)
- UMW (2)
- Vishay / Siliconix (58)
- Wolfspeed (6)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
-
251 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 35A... |
1 | 1,175 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 351 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 35A... |
1 | 193 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<13M@4.5V... |
1 | 4,624 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P-30V,-35A,RD(MAX)<10M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P-40V,-35A,RD(MAX)<20M... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
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UMW | TO-252 N-CHANNEL PO... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
|
|
UMW | TO-252 MOSFETS ROH... |
1 | 4,924 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A... |
1 | 2,916 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 35A... |
1 | 3,443 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 35A... |
1 | 637 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 35A... |
1 | 985 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 500V 35A... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 35A... |
1 | 35 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A... |
1 | 481 | 加入询价 |
