- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- Nexperia (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 DPAK 80V 5.1M... |
1 | 7,331 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 2,759 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 3,796 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A... |
1 | 1,924 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 852 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A... |
1 | 4,877 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 80V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 80V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 25V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 101V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 101V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 101V... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
