- 品牌：
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- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (4)
- UnitedSiC (5)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 13,015 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 1,950 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 9,080 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 6,945 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 503 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 80 ... |
1 | 5 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
