- 品牌:
-
- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (8)
- Microsemi (5)
- UnitedSiC (5)
- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
88 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 3,293 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 13,015 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 1,950 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,958 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 903 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 9,080 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 6,945 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 31A... |
1 | 503 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 226 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 182 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 31A... |
1 | 1,941 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 1,498 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 783 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 546 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 52 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |