供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
R6055VNZ4C13 ROHM Semiconductor
600V 55A TO-247, PREST...
1 690 加入询价
TK35E08N1,S1X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 80V 55A...
1 2,000 加入询价
FKI07076 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 75V 55A...
1 2,000 加入询价
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