- 品牌：
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- ON Semiconductor (14)
- Microsemi (1)
- UnitedSiC (3)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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36 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 65A... |
1 | 4,802 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 877 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 763 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 35,878 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 340 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 491 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,315 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 72 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 65A... |
1 | 41 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 30V 65A... |
1 | 214 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 65A... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
