FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET P-CHANNEL...
1 3,699 加入询价
GT095N10S Goford Semiconductor
N100V, 21A,RD<9.5M@10V,...
1 4,000 加入询价
G11S Goford Semiconductor
P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4...
1 3,743 加入询价
TSM4425CS RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A...
1 2,000 加入询价
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