漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NTHL060N090SC1 ON Semiconductor
SICFET N-CH 900V 46A...
1 2,000 加入询价
NTH4L060N090SC1 ON Semiconductor
SILICON CARBIDE ...
1 443 加入询价
NVHL060N090SC1 ON Semiconductor
SICFET N-CH 900V 46A...
1 450 加入询价
NTBG060N065SC1 ON Semiconductor
SILICON CARBIDE ...
1 786 加入询价
IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies
SILICON CARBIDE ...
1 52 加入询价
NVBG060N065SC1 ON Semiconductor
SIC MOS D2PAK-7L 65...
1 2,000 加入询价
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