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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
400 毫欧 @ 3.5A,10V
(1)
420 毫欧 @ 5.5A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
42.07 nC @ 10 V
(1)
5.29 nC @ 10 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 5.5A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA
供应商器件封装 : TO-39
2 条记录
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描述
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JAN2N6798
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 5.5...
1
2,000
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2N6798
Microsemi
MOSFET N-CH 200V 5.5...
1
2,000
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JAN2N6798
Microsemi
-
库存 : 2,000
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2N6798
Microsemi
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库存 : 2,000
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