- 品牌：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 492 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 419 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 600 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
