- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A... |
1 | 13,744 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A... |
1 | 85,849 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 19A... |
1 | 1,513 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 1,084 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
