安装类型:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TW083N65C,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 650V SIC-MOSFET ...
1 175 加入询价
GCMX080B120S1-E1 SemiQ
SIC 1200V 80M MOSFET...
1 64 加入询价
GCMS080B120S1-E1 SemiQ
SIC 1200V 80M MOSFET...
1 75 加入询价
我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测