漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 98 加入询价
IPB13N03LB Infineon Technologies
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1 2,000 加入询价
IPB13N03LB G Infineon Technologies
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1 2,000 加入询价
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