单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

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封装/外壳：

供应商器件封装：

技术：

漏源电压（Vdss）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

Vgs（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	SIHF18N50D-E3	Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 500V 18A...	1	2,000	加入询价
	UF3SC065030D8S	UnitedSiC	SICFET N-CH 650V 18A...	1	2,000	加入询价
	UF3SC065040D8S	UnitedSiC	SICFET N-CH 650V 18A...	1	2,000	加入询价

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