供应商器件封装:
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
SICFET N-CH 1.2KV 2...
1 2,000 加入询价
SCT4062KEC11 ROHM Semiconductor
1200V, 62M, 3-PIN THD,...
1 2,000 加入询价
SCT4062KEHRC11 ROHM Semiconductor
1200V, 26A, 3-PIN THD,...
1 2,000 加入询价
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