- 品牌：
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- PANJIT (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 8,225 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 8,790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A... |
1 | 4,639 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A... |
1 | 1,523 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,810 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 1,827 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 1,545 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 479 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 887 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V/ 5MOHM/ LOW FOM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 120A... |
1 | 1,459 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 3... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
