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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
650 V
(1)
750 V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
11毫欧 @ 100A,12V
(1)
7.4 毫欧 @ 80A,12V
(1)
9 毫欧 @ 50A,12V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
164 nC @ 15 V
(1)
214 nC @ 15 V
(1)
234 nC @ 15 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
8360 pF @ 100 V
(1)
8374 pF @ 400 V
(1)
8512 pF @ 100 V
(1)
功率耗散(最大值):
714W(Tc)
(1)
789W(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
UnitedSiC
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 120A(Tc)
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3SC065007K4S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 120...
1
2,649
加入询价
UF3SC120009K4S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1200V 12...
1
1,388
加入询价
UJ4SC075006K4S
UnitedSiC
750V/6MOHM, SIC, STA...
1
2,000
加入询价
UF3SC065007K4S
UnitedSiC
-
库存 : 2,649
询价
UF3SC120009K4S
UnitedSiC
-
库存 : 1,388
询价
UJ4SC075006K4S
UnitedSiC
-
库存 : 2,000
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