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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
(1)
-55°C ~ 175°C(TJ)
(2)
漏源电压(Vdss):
25 V
(1)
30 V
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1.5 毫欧 @ 15A,10V
(2)
1.7 毫欧 @ 15A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
76 nC @ 10 V
(1)
77.9 nC @ 10 V
(2)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
4830 pF @ 12 V
(1)
5057 pF @ 12 V
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 100A(Tc)
封装/外壳 : SC-100,SOT-669
功率耗散(最大值) : 109W(Tc)
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMN1R7-30YL,115
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 100A...
1
1,498
加入询价
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 100A...
1
2,000
加入询价
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia
MOSFET N-CH 25V 100A...
1
2,000
加入询价
PSMN1R7-30YL,115
Nexperia
-
库存 : 1,498
询价
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
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