供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 18A...
1 94,800 加入询价
TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 141A...
1 495 加入询价
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