25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT100N04D3 Goford Semiconductor
N40V, 13A,RD<10M@10V,V...
1 4,999 加入询价
GT060N04D3 Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<6.5M@10V...
1 13,733 加入询价
G30N04D3 Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 30A...
1 2,060 加入询价
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