供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FDT86113LZ ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3...
1 51,632 加入询价
FDT86106LZ ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2...
1 20,851 加入询价
FDT86102LZ ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.6...
1 1,771 加入询价
DMP10H088SPS-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V~...
1 2,000 加入询价
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