- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5... |
1 | 32,650 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 3,120 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 2,860 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2A... |
1 | 1,967 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 6,765 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET NCH 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V PW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 100V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
