供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A...
1 35,938 加入询价
FDD3860 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.2...
1 13,780 加入询价
IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
1 420 加入询价
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
1 2,000 加入询价
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