供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQD40N10-25_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A...
1 4,000 加入询价
G20P10KE Goford Semiconductor
P-CH, -100V, 20A, RD(M...
1 3,579 加入询价
GT080N10K Goford Semiconductor
N100V, 75A,RD<8M@10V,V...
1 2,500 加入询价
SQD50N10-8M9L_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A...
1 2,000 加入询价
SQD40N10-25-T4_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A...
1 2,000 加入询价
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