FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G06N10 Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<240M@10V...
1 7,497 加入询价
G12P10K Goford Semiconductor
P100V,RD(MAX)<200M@-10...
1 4,625 加入询价
15N10 UMW
100V 15A 50W 80MR@10V,10...
1 2,490 加入询价
18N10 Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<53M@10V...
1 2,390 加入询价
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