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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
封装/外壳:
4-SMD,无引线
(2)
5-SMD,无引线
(1)
供应商器件封装:
4-SMD
(2)
5-SMD
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
30A(Tc)
(1)
5A(Tc)
(1)
80A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
12 毫欧 @ 30A,5V
(1)
45 毫欧 @ 5A,5V
(1)
6 毫欧 @ 40A,5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 1.2mA
(1)
2.5V @ 12mA
(1)
2.5V @ 5mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
11 nC @ 5 V
(1)
11.7 nC @ 5 V
(1)
2.2 nC @ 5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1000 pF @ 50 V
(1)
1240 pF @ 50 V
(1)
233 pF @ 50 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
EPC Space
漏源电压(Vdss) : 100 V
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
FBG10N05ASH
EPC Space
100V 5A
1
25
加入询价
EPC7018GC
EPC Space
GAN FET HEMT 100V 9...
1
148
加入询价
FBG10N30BSH
EPC Space
100V 30A
1
2,000
加入询价
FBG10N05ASH
EPC Space
-
库存 : 25
询价
EPC7018GC
EPC Space
-
库存 : 148
询价
FBG10N30BSH
EPC Space
-
库存 : 2,000
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品牌:
封装:
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