供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1...
1 23 加入询价
PJD1NA60B_L2_00001 PANJIT
600V N-CHANNEL MOS...
1 2,000 加入询价
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