25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23....
1 3,000 加入询价
IPDD60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 27A...
1 2,000 加入询价
IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22....
1 2,000 加入询价
IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23....
1 2,000 加入询价
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