- 品牌：
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- Littelfuse (5)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
1 | 29,755 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 546 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 600V SO... |
1 | 14,430 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 200... |
1 | 5 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV PG-LSON-8 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 |
