- 品牌:
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- PANJIT (1)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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14 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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PANJIT | 600V SUPER JUNCITO... |
1 | 1,983 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 346 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |