- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 3,490 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 42 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 15 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 600 | 加入询价 |
