- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 3,970 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 11A, SINGLE N-C... |
1 | 3,955 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 20A, SINGLE N-C... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 24A, SINGLE N-C... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
