- 品牌:
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- 安装类型:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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274 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 38.... |
1 | 3,476 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 11,020 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 9.7... |
1 | 11,067 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 1,299 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 472 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 600... |
1 | 5,925 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,859 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,740 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 15,673 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 3,957 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 3,748 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 61.... |
1 | 735 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 1,617 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 50A... |
1 | 547 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 6A TO-252, AUTOM... |
1 | 2,500 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 9A TO-220FM, FAS... |
1 | 1,084 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 12A TO-220FM, FAS... |
1 | 1,069 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 13A TO-220FM, PRE... |
1 | 1,083 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 24A TO-220AB, PRE... |
1 | 1,082 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 17A TO-220FM, PRE... |
1 | 1,079 | 加入询价 |