- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 600... |
1 | 5,925 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,395 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 1,167 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | 600V 6A TO-220FM, HIG... |
1 | 987 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
1 | 898 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A... |
1 | 100 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
