- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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494 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 38.... |
1 | 3,476 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 11,020 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 9.7... |
1 | 11,067 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 742 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 1,299 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 472 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 725 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 600... |
1 | 5,925 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,859 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,740 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 15,673 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 5,016 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 4,989 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 15,950 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 3,957 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 468 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 3,748 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A... |
1 | 179 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 61.... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.7... |
1 | 1,984 | 加入询价 |
