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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
安装类型:
底座安装
(1)
表面贴装型
(1)
通孔
(1)
封装/外壳:
SOT-227-4,miniBLOC
(1)
TO-247-3
(1)
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
(1)
供应商器件封装:
D3Pak
(1)
SOT-227
(1)
TO-247
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
41A(Tc)
(2)
51A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
100 毫欧 @ 20A,20V
(2)
55 毫欧 @ 40A,20V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 1mA
(1)
3V @ 1mA(标准)
(2)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
130 nC @ 20 V
(2)
235 nC @ 20 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
(1)
2560 pF @ 1000 V
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss) : 1200 V
功率耗散(最大值) : 273W(Tc)
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT40SM120B
Microsemi
SICFET N-CH 1200V 41...
1
2,000
加入询价
APT40SM120S
Microsemi
SICFET N-CH 1200V 41...
1
2,000
加入询价
APT80SM120J
Microsemi
SICFET N-CH 1200V 51...
1
2,000
加入询价
APT40SM120B
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT40SM120S
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT80SM120J
Microsemi
-
库存 : 2,000
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