- 品牌：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
3 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 11... |
1 | 6,355 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 419 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 445 | 加入询价 |
