- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
15 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 130 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 50 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | SICFET N-CH 1200V 41... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | SICFET N-CH 1200V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | SICFET N-CH 1200V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Wolfspeed | SICFET N-CH 1200V 24... |
1 | 2,000 | 加入询价 |