- 品牌：
-
- UnitedSiC (1)
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
18 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
UnitedSiC | SICFET P-CH 1200V 28... |
1 | 5,685 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 23... |
1 | 1,959 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 1,979 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 796 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A ... |
1 | 81 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 56... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 17... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 25A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 15A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
