- 品牌：
-
- ON Semiconductor (5)
- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GeneSiC Semiconductor | 1200V 12M TO-247-4 G3R S... |
1 | 701 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 22M... |
1 | 20 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 46 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 22M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
