- 品牌：
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- ON Semiconductor (14)
- Microsemi (3)
- UnitedSiC (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 19... |
1 | 1,553 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 42... |
1 | 2,326 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 75... |
1 | 256 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 1200V/40MOHM, SIC, ST... |
1 | 2,045 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 96... |
1 | 1,009 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 11... |
1 | 6,355 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET P-CH 1200V 28... |
1 | 5,685 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 1,979 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 821 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 430 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 760 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 1200V/150MOHM, SIC, F... |
1 | 556 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 46 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 8.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
