- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 20 | 加入询价 | ||
SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 64 | 加入询价 | ||
SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 75 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 53... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 80 ... |
1 | 5 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 32... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | SICFET N-CH 1200V 51... |
1 | 2,000 | 加入询价 |