- 品牌：
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- Microsemi (6)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 51... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1.2KV D... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
