- 品牌：
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- SemiQ (2)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 41... |
1 | 1,688 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 71... |
1 | 942 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 90... |
1 | 2,163 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 12... |
1 | 781 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 1200V 12M TO-247-4 G3R S... |
1 | 701 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 66... |
1 | 114 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 106 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 37... |
1 | 105 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 260 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 16... |
1 | 106 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 40M... |
1 | 75 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
