供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NTBG045N065SC1 ON Semiconductor
SILICON CARBIDE ...
1 830 加入询价
UJ3C065030B3 UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 65A...
1 2,000 加入询价
UF3C065030B3 UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 65A...
1 2,000 加入询价
NVBG045N065SC1 ON Semiconductor
SIC MOS D2PAK-7L 65...
1 2,000 加入询价
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