- 品牌：
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- STMicroelectronics (21)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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31 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 479 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,975 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A... |
1 | 984 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 347 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 1,396 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 22A... |
1 | 1,479 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 466 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 1,500 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5.4... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 134 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 453 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 554 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5.4... |
1 | 243 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 215 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
