- 品牌：
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- Nexperia (1)
- STMicroelectronics (13)
- PANJIT (1)
- Transphorm (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Nexperia | GAN041-650WSB/SOT429/... |
1 | 137 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 46.5 GAN FET |
1 | 564 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 928 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V/ 380MOHM SUPER ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-220FM, HIG... |
1 | 3,994 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 1,396 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 2,984 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 554 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 991 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 133 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 1.8... |
1 | 941 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 97 | 加入询价 |
