- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 1,821 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 145 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 98 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
