- 品牌：
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- ROHM Semiconductor (22)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 3,059 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 721 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 578 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 39A... |
1 | 131 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 142 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 622 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 163 | 加入询价 |
